TSMC تختبر إنتاج شرائح 2 نانومتر وتزيد التكلفة بنسبة 50% إلى 30 ألف دولار – فكرة فن

0 تعليق ارسل طباعة تبليغ حذف

تم تقديم معالج التطبيقات (AP) الذي كان يشغل أول هاتف iPhone في عام 2007، وكان يحتوي على ما يقرب من 70 مليون ترانزستور، وتم إنتاجه باستخدام عقدة معالجة 65 نانومتر.

على الرغم من أن هذه المواصفات كانت تعتبر متقدمة في ذلك الوقت، إلا أنه بعد 17 عامًا، تم تصنيع شريحة A18 Pro في iPhone 15 Pro وiPhone 15 Pro Max باستخدام عملية TSMC المتقدمة 3 نانومتر (N3E).

ورغم أن شركة آبل لم تكشف بعد عن عدد الترانزستورات الموجودة في هذه الشريحة الجديدة، فمن المتوقع أن تحتوي شريحة A18 Pro على أكثر من 19 مليار ترانزستور، وهو العدد الموجود في شريحة A17 Pro.

كان من المفترض في البداية أن يكون طرازا 2025 iPhone 17 Pro وiPhone 17 Pro Max أول هواتف ذكية تدعم شريحة مصنوعة بعقدة 2 نانومتر.

ومع ذلك، أفاد المحلل Ming-Chi Kuo من TF International أن هذه النماذج ستظل تستخدم عقدة المعالجة 3nm من الجيل الثالث من TSMC.

الآن، من المتوقع أن تظهر أول شريحة 2 نانومتر مع iPhone 18 Pro وiPhone 18 Pro Max في عام 2026، حيث ستعمل على تشغيل مجموعة شرائح A20 Pro.

كانت شركة TSMC تفرض على مصممي الرقائق رسومًا قدرها 20 ألف دولار مقابل كل رقاقة سيليكون تستخدم لإنتاج شرائح 3 نانومتر، والتي يمكن أن تنتج ما بين 300 و400 شريحة.

ولكن مع عقدة 2 نانومتر، سترتفع تكلفة الشريحة بنسبة 50 بالمائة، لتصل إلى 30 ألف دولار. وهذا يجعلها أغلى بمرتين من الشريحة المستخدمة في إنتاج 4 نانومتر و5 نانومتر، والتي تكلف 15000 دولار. على النقيض من ذلك، في عام 2014، قامت شركة TSMC بتحصيل 3000 دولار فقط لكل شريحة لإنتاج شرائح 28 نانومتر.

ويبدو أن الزيادة في التكلفة مبررة، حيث تتطلب عقدة 2 نانومتر إجراءات تصنيع أكثر تعقيدًا ودقة. بالإضافة إلى ذلك، يشير تقرير صادر عن شركة الاستشارات IBS إلى أن بناء مصنع يمكنه إنتاج 50 ألف شريحة شهريًا سيتطلب استثمارًا بقيمة 28 مليار دولار.

تتضمن التقنيات الجديدة التي ستعتمدها TSMC في عملية 2 نانومتر استخدام ترانزستورات البوابة المتكاملة (GAA) بدلاً من FinFETs. سوف يعمل GAA على تحسين الكفاءة الحالية وتقليل التسرب، مما يؤدي إلى زيادة في الأداء بنسبة 10 إلى 15 بالمائة، وزيادة بنسبة 15 بالمائة في كثافة الترانزستور، وانخفاض بنسبة 25 إلى 30 بالمائة في استهلاك الطاقة.

سيتضمن تصميم الرقاقة أيضًا توصيل الطاقة الخلفية (BPD)، مما سيقلل من طول الارتباط وفقدان الطاقة، ويحسن كفاءة الطاقة بنسبة 15 إلى 20 بالمائة.

ومن المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم لرقائق TSMC مقاس 2 نانومتر في النصف الثاني من عام 2025. وقد بدأ بالفعل اختبار إنتاج هذه الرقائق في مصنع باوشان في هسينشو، شمال تايوان.

يقدم لكم موقع “فكرة فن” https//ar.fekrafn.com كل ما تحتاجونه من معلومات حول أهم الموضوعات المتعلقة بالاقتصاد، السياحة، السفر، وأخبار السعودية. نحرص على تقديم محتوى محدث وشامل يساعدكم على متابعة التطورات في هذه المجالات بسهولة ودقة، ليكون مرجعكم الأول في اتخاذ قرارات مستنيرة سواء في الاستثمار أو التخطيط للسفر.